Bourns BIDW30N60T IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB266.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB285.188

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB133.265THB266.53
10 - 48THB119.995THB239.99
50 - 98THB113.175THB226.35
100 - 248THB98.61THB197.22
250 +THB96.585THB193.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
253-3507
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDW30N60T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BIDW30N60T

Standards/Approvals

RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure gives a lower thermal resistance R(th).

600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง