STMicroelectronics STGYA50M120DF3 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin, Through Hole
- RS Stock No.:
- 248-4896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA50M120DF3
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB307.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB329.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 41 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB307.99 |
| 2 - 4 | THB298.75 |
| 5 - 9 | THB286.81 |
| 10 - 14 | THB272.47 |
| 15 + | THB256.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-4896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA50M120DF3
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 535W | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Series | STGYA50M120DF3 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 535W | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5.1mm | ||
Series STGYA50M120DF3 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low loss and the short circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCEsat temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature of 175 degree C
10 μs of short circuit withstand time
Low VCEsat
Tight parameter distribution
Positive VCEsat temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft and fast recovery antiparallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics IGBT 3-Pin, Through Hole
- Infineon IKQ50N120CH3XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon IKW25T120FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKQ50N120CT2XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247
- IXYS IXYH50N120C3D1 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS IXYH50N120C3 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS 50 A 1200 V Through Hole