STMicroelectronics IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB1,228.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,314.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
10 - 99THB122.83
100 - 249THB117.92
250 - 499THB112.02
500 +THB105.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
248-4894P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGH30H65DFB-2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.4mm

Height

4.7mm

Series

STGH30H65DFB

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High speed switching series

Safer paralleling

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Soft and very fast recovery antiparallel diode