Infineon FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 IGBT Module, 70 A 950 V
- RS Stock No.:
- 248-1204
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB6,029.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,451.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 8 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB6,029.30 |
| 2 - 2 | THB5,908.72 |
| 3 - 3 | THB5,790.55 |
| 4 - 4 | THB5,674.73 |
| 5 + | THB5,561.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-1204
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 70 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 950 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 70 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 950 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
The Infineon makes this EasyPACK 3B 950 V, 200 A dual boost IGBT module with 1200 V CoolSiC diode, TRENCHSTOP IGBT7, NTC and PressFIT contact technology. Together with F3L400R10W3S7F_B11 and F3L400R10W3S7_B11, it provides a total solution for 1500 V 3-phase PV string inverters. This device enables MPPT inputs with rated current of 26 A at 16 kHz switching frequency. It is designed for fuse less MPPT input with two strings in parallel. It is compatible with bifacial PV modules with 400 W+ rated power. It provides enough creepage distance and is tested according to necessary isolation requirement. The solder-less, fast assembly process to form reliable connection thanks to PressFIT terminals.
1200 V CoolSiC diodes reduces switching loss of IGBT
Dual boost topology, 3 MPPT circuits in one module
Bypass diodes and reverse polarity protection diodes are integrated for each MPPT circuit
Dual boost topology, 3 MPPT circuits in one module
Bypass diodes and reverse polarity protection diodes are integrated for each MPPT circuit
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 IGBT Module, 70 A 950 V
- Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V
- Infineon FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 IGBT Module PCB Mount
- Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 70 A 650 V
- Infineon F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT, 310 A 950 V EasyPACK Module
- Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 IGBT 22-Pin EasyPACK
- Infineon FS950R08A6P2BBPSA1 IGBT Module, 950 A 750 V HybridPACK
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 950 V N, 3-Pin TO-220
