onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT Module Q0BOOST - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*

THB65,207.448

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69,771.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
24 - 24THB2,716.977THB65,207.45
48 - 48THB2,692.249THB64,613.98
72 +THB2,655.156THB63,723.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
245-6990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH80B120MNQ0SNG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

69 W

Package Type

Q0BOOST - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC


The ON Semiconductor Dual Boost Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V 80 m SiC MOSFETs
Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
1600 V Bypass and anti parallel Diodes
Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor
These devices are Pb free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS compliant

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง