Infineon IGBT Module 750 V HybridPACK
- RS Stock No.:
- 244-5877
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 6 ชิ้น)*
THB147,212.148
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB157,516.998
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 6 - 6 | THB24,535.358 | THB147,212.15 |
| 12 - 12 | THB24,044.605 | THB144,267.63 |
| 18 + | THB23,563.71 | THB141,382.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5877
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 870W | |
| Package Type | HybridPACK | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC24720 and IEC16022 | |
| Series | FS950R08A6P2BBPSA1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 870W | ||
Package Type HybridPACK | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC24720 and IEC16022 | ||
Series FS950R08A6P2BBPSA1 | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module drive is a very compact six-pack module (750 V/950 A) optimized for hybridand electric vehicles. The power module implements the new EDT2 IGBT generation, which is an automotive micro-pattern trench-field-stop cell design optimized for electric drive train applications. The chipset has benchmark current density combined with short circuit ruggedness and increased blocking voltage for reliable inverter operation under harsh environmental conditions. The EDT2 IGBTs also show excellent light load power losses, which helps to improve system efficiency over a real driving cycle. The EDT2 IGBT was optimized for applications with switching frequencies in the range of 10 kHz.
Electrical Features
Blocking voltage 750 V
Low VCEsat
Low switching losses
Low Qg and crss
Low inductive design Tvj op = 150° C
Short-time extended operation temperature Tvj op = 175°C
Mechanical features
4.2kV DC 1sec insulation
High creepage and clearance distances
Compact design
High power density
Direct cooled pinFin base plate
Guiding elements for PCB and cooler assembly
Integrated NTC temperature sensor
Pressfit contact technology
RoHS compliant
UL 94 V0 module frame
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS950R08A6P2BBPSA1 IGBT Module 750 V HybridPACK
- Infineon IGBT Module, 750 A 1700 V EconoDUALTM3
- Infineon IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon 820 A 750 V Clamp
- Infineon FS820R08A6P2BBPSA1 820 A 750 V Clamp
- Infineon FF750R17ME7DB11BPSA1 IGBT Module, 750 A 1700 V EconoDUALTM3
- Infineon FF750R12ME7B11BPSA1 IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon IGBT Module, 200 A 600 V EconoPACK