STMicroelectronics STGYA50H120DF2 Series IGBT, 50 A 1200 V Max247 long leads
- RS Stock No.:
- 244-3195P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA50H120DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 2 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB634.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB678.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 290 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 2 - 4 | THB317.22 |
| 5 - 9 | THB310.89 |
| 10 - 14 | THB304.68 |
| 15 + | THB298.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-3195P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA50H120DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 535 W | |
| Configuration | Series | |
| Package Type | Max247 long leads | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 535 W | ||
Configuration Series | ||
Package Type Max247 long leads | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode