Infineon IKW30N65WR5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V PG-TO247-3
- RS Stock No.:
- 244-2915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW30N65WR5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB13,215.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,140.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | THB55.063 | THB13,215.12 |
| 480 - 480 | THB54.816 | THB13,155.84 |
| 720 + | THB54.569 | THB13,096.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW30N65WR5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 185 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 30 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 185 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
The Infineon IKW30N65WR5XKSA1 reverse Conducting TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT features an optimized diode that is adequately rated for the target application. WR5 is recommended for use in the PFC stage in air conditioning, DC/DC in welding, AC/DC in UPS and MPPT in solar string inverters. The excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high-performance technology also for cost sensitive customers.
LowEMI
Low electrical parameters depending on temperature
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating
RoHScompliant
Complete product spectrum and Pspice Models
Low electrical parameters depending on temperature
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating
RoHScompliant
Complete product spectrum and Pspice Models
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW30N65WR5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65WR5XKSA1 IGBT, 50 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65ES5XKSA1 Single IGBT, 79 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 50 A 650 V PG-TO247-3
