onsemi FGHL50T65MQDTL4 IGBT 650 V, 3-Pin TO-247-4LD, Surface
- RS Stock No.:
- 241-0730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGHL50T65MQDTL4
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 241-0730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGHL50T65MQDTL4
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 268W | |
| Package Type | TO-247-4LD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.82mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | FGHL50T65MQDT | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 268W | ||
Package Type TO-247-4LD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.82mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series FGHL50T65MQDT | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 medium switching speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other high performance power conversion applications.
Positive temperature co-efficient
Easy paralleling operation
Low switching losses
Low conduction losses