Infineon, Type N-Channel IGBT, 8 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 232-6723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB3,061.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,275.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB102.049 | THB3,061.47 |
| 60 - 60 | THB96.945 | THB2,908.35 |
| 90 + | THB92.10 | THB2,763.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 8A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.3 mm | |
| Series | IKW08N120CS7 | |
| Length | 21.5mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Height | 5.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 8A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.3 mm | ||
Series IKW08N120CS7 | ||
Length 21.5mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Height 5.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's 8 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses. Potential applications include industrial drives, industrial power supplies and solar inverters.
Good controllability
Full rated free wheeling diode with improved softness
Higher power density without heatsink redesign
Ease to design to meet EMI requirement