Infineon FS820R08A6P2LBBPSA1, Type N-Channel IGBT Module, 450 A 750 V, 33-Pin AG-HYBRIDD, Through Hole
- RS Stock No.:
- 229-1788
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS820R08A6P2LBBPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB18,786.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,101.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB18,786.29 |
| 10 - 99 | THB18,410.57 |
| 100 - 249 | THB18,042.36 |
| 250 - 499 | THB17,681.50 |
| 500 + | THB17,327.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1788
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS820R08A6P2LBBPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 450A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Package Type | AG-HYBRIDD | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 33 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 26mm | |
| Length | 154.5mm | |
| Width | 100.5 mm | |
| Series | FS820R08A6P2LB | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 450A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 6 | ||
Package Type AG-HYBRIDD | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 33 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 26mm | ||
Length 154.5mm | ||
Width 100.5 mm | ||
Series FS820R08A6P2LB | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HybridPACK drive module with EDT2 IGBT and diode is an automotive qualified power module designed for hybrid- and electric vehicle applications. The product has long AC power terminals and is well suited for implementation of phase current sensor solutions. It has direct cooled base plate.
It is RoHS compliant
It is compact design module
It has integrated NTC temperature sensor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 450 A 750 V Through Hole
- Infineon 250 A 1200 V Through Hole
- Infineon FS380R12A6T4BBPSA1 250 A 1200 V Through Hole
- Infineon FF600R12KT4HOSA1 600 A 1.2 kV Surface
- Infineon 600 A 1.2 kV Surface
- Infineon IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon FF450R12ME7B11BPSA1 IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 450 A 1200 V Through Hole
