STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ IGBT, 6 A 600 V, 26-Pin N2DIP-26L type Z

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 15 ชิ้น)*

THB4,131.825

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,421.055

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
15 - 15THB275.455THB4,131.83
30 - 45THB269.467THB4,042.01
60 +THB263.479THB3,952.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-4824
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGIPQ4C60T-HZ
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

600V

Maximum Power Dissipation

12.5 W

Number of Transistors

6

Package Type

N2DIP-26L type Z

Pin Count

26

Transistor Configuration

Series

SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 6 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT


This second series of SLLIMM (small low-loss intelligent molded module) nano provides a compact, high-performance AC motor drive in a simple, rugged design. It is composed of six improved short-circuit rugged trench gate fieldstop IGBTs with freewheeling diodes and three half-bridge HVICs for gate driving, providing low electromagnetic interference (EMI) characteristics with optimized switching speed. The package is designed to allow a better and more easily screwed-on heat sink, and is optimized for thermal performance and compactness in built-in motor applications or other low power applications where assembly space is limited. This IPM includes a completely uncommitted operational amplifier and a comparator that can be used to design a fast and efficient protection circuit.

  • IPM 6 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including 3 control ICs for gate driving and freewheeling diodes

  • 3.3 V, 5 V, 15 V TTL/CMOS input comparators with hysteresis and pull-down/pull-up resistors

  • Internal bootstrap diode

  • Optimized for low electromagnetic interference

  • Undervoltage lockout

  • Short-circuit rugged TFS IGBT

  • Shutdown function

  • Interlocking function

  • Op-amp for advanced current sensing

  • Comparator for fault protection against overcurrent

  • Isolation ratings of 1500 Vrms/min.

  • NTC (UL 1434 CA 2 and 4)

  • Up to ±2 kV ESD protection (HBM C = 100 pF, R = 1.5 kΩ)

  • UL recognition: UL 1557, file E81734

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง