STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Stock No.:
- 204-9868P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB17,953.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,209.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 250 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 495 | THB71.812 |
| 500 + | THB70.706 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-9868P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGB30H65DFB2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 167 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | D2PAK (TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 167 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type D2PAK (TO-263) | ||
Pin Count 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
