onsemi NXH35C120L2C2SG, Type N-Channel IGBT Module, 35 A 650 V, 26-Pin DIP-26, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5681
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH35C120L2C2SG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

DIP-26

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

26

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.4V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±2 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

8mm

Standards/Approvals

No

Width

40 mm

Series

CIB

Length

73mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor transfer molded power module containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 35 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 35 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 35 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

Low thermal resistance

6mm clearance distance between pin to heatsink

Solderable pins

Thermistor

Pb free

Halogen free or BFR free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง