onsemi NXH100B120H3Q0STG Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB2,162.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,313.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 11 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 5THB2,162.48
6 - 11THB2,108.40
12 +THB2,075.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
195-8771
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NXH100B120H3Q0STG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

186 W

Configuration

Dual

Package Type

Q0BOOST

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensions

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

The NXH100B120H3Q0 is a power integrated module (PIM) containing a dual boost stage consisting of two 50A/1200V IGBTs, two 20A/1200V SiC diodes, and two 25A/1600V anti-parallel diodes for the IGBTs. Two additional 25A/1600V bypass rectifiers used for inrush current limit are included. An on-board thermistor is included.

IGBT Specifications: VCE(SAT) = 1.77 V, ESW = 2200 uJ
Fast IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency
25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes
Low VF bypass diodes for excellent efficiency in bypass mode
SiC Rectifier Specification: VF = 1.44 V
SiC Diode for high speed switching
Solder pin and press-fit pin options available
Flexible mounting
Applications
MPPT Boost Stage
Battery Charger Boost Stage

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง