Infineon IKP15N65F5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS Stock No.:
- 110-7724
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP15N65F5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB437.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB468.295
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB87.532 | THB437.66 |
| 15 - 20 | THB85.342 | THB426.71 |
| 25 + | THB84.028 | THB420.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7724
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKP15N65F5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 105W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TrenchStop | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Width | 15.95 mm | |
| Energy Rating | 0.17mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 105W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TrenchStop | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.36mm | ||
Height 4.57mm | ||
Width 15.95 mm | ||
Energy Rating 0.17mJ | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
• Collector-emitter voltage range 600 to 650V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 30 A 650 V Through Hole
- Infineon 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65HRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65EHRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65DHRC11 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65CHRC11 30 A 650 V Through Hole
- STMicroelectronics STGWA30HP65FB 30 A 650 V Through Hole