Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1, Type N-Channel Single Collector IGBT, 180 A 1200 V AG-62MMHB, Through Hole
- RS Stock No.:
- 284-664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L225R12W3H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 8 ชิ้น)*
THB42,016.792
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,957.968
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 8 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 8 + | THB5,252.099 | THB42,016.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 284-664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L225R12W3H3B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 180A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Package Type | AG-62MMHB | |
| Configuration | Single Collector | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 109.9mm | |
| Width | 62 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Height | 12.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 180A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 4 | ||
Package Type AG-62MMHB | ||
Configuration Single Collector | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 109.9mm | ||
Width 62 mm | ||
Standards/Approvals IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Height 12.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon EasyPACK module is designed for high performance power applications, offering a remarkably efficient solution for energy management. It features TRENCHSTOP IGBT technology, which contributes to low switching losses and high speed operation. This module caters to various applications, such as energy storage systems, solar technologies, and three level configurations. Its robust construction and Advanced features make it an Ideal choice for industrial use, meeting stringent international standards for safety and reliability.
Enhanced power density for Compact applications
PressFIT technology for easy installation
Qualified for demanding industrial use per IEC standards
Integrated NTC sensor for thermal management
Consistent performance with low thermal resistance
High speed IGBT for improved efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon F3L225R12W3H3B11BPSA1 180 A 1200 V AG-62MMHB, Through Hole
- Infineon FF800R12KE7EHPSA1 800 A 1200 V Through Hole
- Infineon FF600R12KE7BPSA1 600 A 1200 V Through Hole
- Infineon FF450R12KE7HPSA1 450 A 1200 V Through Hole
- Infineon FF800R12KE7HPSA1 800 A 1200 V Through Hole
- Infineon FF600R12KE7EHPSA1 Single Collector Single Gate IGBT 3-Pin AG-62MMHB, Through
- STMicroelectronics STGWA35IH135DF2 35 A 1350 V Through
- STMicroelectronics STGWA25IH135DF2 25 A 1350 V Through
