Infineon MOSFET Gate Driver, 600 mA 8-Pin 600 V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Gate Drivers ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB50,982.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,552.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB20.393THB50,982.50
5000 - 5000THB19.781THB49,452.50
7500 +THB18.99THB47,475.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-4013
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRS2308STRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Output Current

600mA

Pin Count

8

Package Type

SOIC

Fall Time

35ns

Driver Type

MOSFET

Rise Time

220ns

Minimum Supply Voltage

10V

Maximum Supply Voltage

600V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Series

IRS

Automotive Standard

No

The Infineon half bridge driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Floating channel designed for bootstrap operation

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Under voltage lockout for both channels

Cross-conduction prevention logic

Matched propagation delay for both channels

Outputs in phase with inputs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง