Renesas Electronics HIP2100IBZT7A, Half Bridge 2, 2 A 8-Pin 14V dc, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
256-1548P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HIP2100IBZT7A
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

2A

Pin Count

8

Package Type

SOIC

Fall Time

10ns

Driver Type

Half Bridge

Number of Outputs

2

Rise Time

10ns

Minimum Supply Voltage

9V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

14V dc

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.75mm

Series

HIP2100

Width

4mm

Mount Type

Board

Automotive Standard

No

The Renesas half bridge driver is a high frequency, 100V half bridge N-channel power MOSFET driver IC. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 8ns. This gives the user maximum flexibility in dead-time selection and driver protocol. Under voltage protection on both the low-side and high-side supplies force the outputs low. An on-chip diode eliminates the discrete diode required with other driver ICs. A new level-shifter topology yields the low-power benefits of pulsed operation with the safety of DC operation. Unlike some competitors, the high-side output returns to its correct state after a momentary under voltage of the high-side supply.

Drives N-channel MOSFET half bridge

Pb-free (RoHS compliant)

Bootstrap supply max voltage to 114VDC

On-chip 1Ω bootstrap diode

Fast propagation times for multi-MHz circuits

Drives 1000pF load with rise and fall times typ of 10ns

CMOS input thresholds for improved noise immunity

Low Power Consumption

Wide Supply Range

Supply Under voltage Protection