Renesas Electronics HIP2210FRTZ-T7A, Half Bridge 2, 4 A 10-Pin 18V, TDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 30 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB2,253.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,411.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 45 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
30 - 72THB75.127
75 - 297THB70.783
300 +THB60.797

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-6591P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HIP2210FRTZ-T7A
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

4A

Pin Count

10

Package Type

TDFN

Fall Time

365ns

Driver Type

Half Bridge

Rise Time

435ns

Minimum Supply Voltage

6V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

18V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Series

HIP2210

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Length

3.80mm

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Renesas 100 V, 3 A source, 4 A sink high-frequency half-bridge NMOS FET driver belongs to HIP2210 series. This driver has 10 pin configuration. It features a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6 V to 18 V and integrated high-side bootstrap diode supports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

115 VDC bootstrap supply maximum voltage supports 100 V on the half-bridge

Fast propagation delay and matching : 15ns typical delay, 2 ns typical matching (HIP2211)

Integrated 0.5 Ω typical bootstrap diode

Wide 6 V to 18 V operating voltage range

VDD and boot Undervoltage Lockout (UVLO)