Renesas Electronics HIP2210FRTZ-T7A, Half Bridge 2, 4 A 10-Pin 18V, TDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-6591P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HIP2210FRTZ-T7A
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

4A

Pin Count

10

Fall Time

365ns

Package Type

TDFN

Number of Outputs

2

Driver Type

Half Bridge

Rise Time

435ns

Minimum Supply Voltage

6V

Maximum Supply Voltage

18V

Number of Drivers

2

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

3mm

Series

HIP2210

Length

3.8mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Renesas 100 V, 3 A source, 4 A sink high-frequency half-bridge NMOS FET driver belongs to HIP2210 series. This driver has 10 pin configuration. It features a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6 V to 18 V and integrated high-side bootstrap diode supports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

115 VDC bootstrap supply maximum voltage supports 100 V on the half-bridge

Fast propagation delay and matching : 15ns typical delay, 2 ns typical matching (HIP2211)

Integrated 0.5 Ω typical bootstrap diode

Wide 6 V to 18 V operating voltage range

VDD and boot Undervoltage Lockout (UVLO)