onsemi MOSFET Gate Driver, 6.5 A 16-Pin 5 V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Gate Drivers ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB80,133.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB85,742.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB80.133THB80,133.00
2000 - 2000THB77.488THB77,488.00
3000 +THB74.931THB74,931.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-9157
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NCP51561DADWR2G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Output Current

6.5A

Pin Count

16

Package Type

SOIC

Fall Time

16ns

Driver Type

MOSFET

Rise Time

19ns

Minimum Supply Voltage

5V

Maximum Supply Voltage

5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Series

NCP51

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Isolated High Current IGBT/MOSFET Gate Driver is high−current single channel. IGBT/MOSFET gate drivers with 5 kVrms internal galvanic isolation,designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as Active Miller Clamp (version A/D/F), negative power supply (version B) and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs (version C/E) for system design convenience. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and they are available in wide−body SOIC−8 package.

High Peak Output Current (+6.5 A/−6.5 A)

Low Clamp Voltage Drop Eliminates the Need of Negative Power Supply to Prevent Spurious Gate Turn−on (Version A/D/F)

Short Propagation Delays with Accurate Matching

IGBT/MOSFET Gate Clamping during Short Circuit

IGBT/MOSFET Gate Active Pull Down

Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility

Wide Bias Voltage Range including Negative VEE2 (Version B)

3.3 V, 5 V, and 15 V Logic Input

5 kVrms Galvanic Isolation

High Transient Immunity

High Electromagnetic Immunity

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง