Infineon IRS21531DSTRPBF MOSFET Gate Driver, 260 mA 8-Pin 15.4V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (2500 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2500)*

THB64,240.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68,737.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 7,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB25.696THB64,240.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
226-6200
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRS21531DSTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Gate Driver

Output Current

260mA

Pin Count

8

Fall Time

80ns

Package Type

SOIC

Driver Type

MOSFET

Number of Outputs

2

Rise Time

220ns

Minimum Supply Voltage

10.1V

Maximum Supply Voltage

15.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4mm

Series

IRS

Length

5mm

Height

1.75mm

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

Infineon IRS Series Gate Driver, 10.1V Minimum Supply Voltage, 260mA Output Current - IRS21531DSTRPBF


This gate driver provides dual-channel MOSFET drive for low-voltage switching applications, supplying controlled gate pulses to power transistors across a modest supply range. It is intended for surface-mount assembly and operates over a wide temperature span suitable for demanding thermal environments.

Features and Benefits:


• Dual outputs deliver independent MOSFET gate control and simplified gate drive
• 260mA output current supplies moderate gate charging needs
• 10.1V to 15.4V supply range supports common low-voltage supplies
• Fast rise time 220ns enables Rapid turn-on response
• Fall time 80ns reduces switching transition duration
• Rated to 150°C allows operation at elevated junction temperatures

Applications


• Used for half-bridge MOSFET gate driving in power converters
• Suitable for motor-drive gate control in Compact assemblies
• Can be used for synchronous rectifier driving in DC-DC converters
• Ideal for gate driving on dense surface-mount power modules
• Used with low-voltage battery-powered switching designs

What package format should I plan for on my PCB?


It is supplied in an 8-pin SOIC package for standard surface-mount pads.

How small is the component footprint for tight layouts?


The package measures 4 mm in width and 5 mm in length for Compact placement.

What thermal range can the device tolerate during operation?


It is specified to operate from -55°C up to a maximum of 150°C.

How many output channels are available for gate signalling?


There are two independent output channels for separate MOSFET gates.

What mounting method is required for assembly?


The device is intended for surface-mount placement on a PCB.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง