Infineon IRS2101STRPBF MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 600V, SOIC

RS Stock No.:: 226-6179
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRS2101STRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IRS2101STRPBF MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 600V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB312.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB334.73

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,890 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 +	THB31.283	THB312.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 226-6179
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRS2101STRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Gate Driver
	Output Current	290mA
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Fall Time	90ns
	Number of Outputs	2
	Driver Type	MOSFET
	Rise Time	170ns
	Minimum Supply Voltage	10V
	Maximum Supply Voltage	600V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	4mm
	Series	IRS
	Height	1.75mm
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Gate Driver
	Output Current 290mA
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Fall Time 90ns
	Number of Outputs 2
	Driver Type MOSFET
	Rise Time 170ns
	Minimum Supply Voltage 10V
	Maximum Supply Voltage 600V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 4mm
	Series IRS
	Height 1.75mm
	Mount Type Surface
	Automotive Standard No

Datasheet - IRS2101STRPBF

Infineon IRS Series Gate Driver, 10V Minimum Supply Voltage, 600V Maximum Supply Voltage - IRS2101STRPBF

This gate driver provides dual-channel control for MOSFET switching in high-voltage applications, accepting a supply down to 10 V and operating up to 600 V. It is supplied in an 8-pin surface-mount SOIC package and is intended for users needing compact, high-voltage MOSFET driving capability across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 290 mA output current delivers sufficient gate drive for medium-power MOSFETs
• 170 ns rise time enables relatively fast turn-on for efficient switching
• 90 ns fall time ensures timely turn-off to limit overlap losses
• Rated to 600 V operation supports high-voltage topologies
• Operates from 10 V supply for compatibility with common control rails
• RoHS compliance reduces hazardous substance concerns in assemblies

Applications

• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Used with half-bridge MOSFET arrangements in converters
• Suitable for industrial motor-drive gate control
• Used in power factor correction stage gate driving
• Can be used for isolated gate-drive implementations

What package and mounting style does it use?

It is supplied in an 8-pin SOIC package designed for surface mount.

What ambient temperature range can it handle?

The device functions across -40 °C to 125 °C operating extremes.

How many independent outputs are available?

There are two outputs provided for dual-MOSFET control.

Is it suitable for automotive specification use?

It is not classified as an automotive-standard device.