Infineon IR2010STRPBF MOSFET Gate Driver, 3 A 16-Pin 200V, SOIC

RS Stock No.:: 226-6148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IR2010STRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IR2010STRPBF MOSFET Gate Driver, 3 A 16-Pin 200V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB625.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB668.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 +	THB125.00	THB625.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 226-6148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IR2010STRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power MOSFET & IGBT Driver
	Output Current	3A
	Pin Count	16
	Package Type	SOIC
	Fall Time	25ns
	Driver Type	MOSFET
	Number of Outputs	2
	Rise Time	10ns
	Minimum Supply Voltage	10V
	Maximum Supply Voltage	200V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	7.6mm
	Length	10.5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.65mm
	Series	IR2010(S)PBF
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power MOSFET & IGBT Driver
	Output Current 3A
	Pin Count 16
	Package Type SOIC
	Fall Time 25ns
	Driver Type MOSFET
	Number of Outputs 2
	Rise Time 10ns
	Minimum Supply Voltage 10V
	Maximum Supply Voltage 200V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 7.6mm
	Length 10.5mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.65mm
	Series IR2010(S)PBF
	Mount Type Surface
	Automotive Standard No

Datasheet - IR2010STRPBF

Infineon IR2010(S)PBF Series Power MOSFET & IGBT Driver, 10V Minimum Supply Voltage, 3A Output Current - IR2010STRPBF

This power MOSFET & IGBT driver is a dual-channel gate driver IC designed to drive power MOSFETs and IGBTs in high-voltage switching applications. It operates within industrial temperature extremes and supports use in surface-mounted assemblies, providing controlled gate drive currents and fast switching performance for power electronics systems.

Features and Benefits:

• Dual outputs deliver 3A Peak drive current for Faster switching
• 10V minimum supply enables operation from common gate rails
• 10ns rise time reduces transition losses during turn-on
• 25ns fall time limits switching stress on transistors
• 200V maximum supply provides high-voltage gate drive capability
• 16-pin SOIC package allows Compact surface mounting

Applications

• Suitable for gate driving in inverter power stages
• Ideal for high-voltage switch control in converters
• Used with discrete MOSFET arrays in motor drives
• Can be used for IGBT gate control in power supplies
• Suitable for Compact surface-mounted power modules

What temperature range can it operate within?

It functions across a wide ambient range from -55°C to 150°C, supporting deployment in thermally demanding environments.

What package and mounting style does it use?

The device is supplied in a 16-pin SOIC package intended for surface-mount assembly on PCBs.

How does its pin count affect PCB layout?

The 16-pin arrangement provides separate pins for dual outputs and control inputs, simplifying routing for isolated gate signals.

What physical profile should designers allow for height constraints?

The component has a total height of 2.65 mm, which should be considered when planning component stacking and enclosure clearances.