Infineon 1EDN8511BXUSA1 MOSFET Gate Driver 1, 8 A 6-Pin 20V, SOT-23

RS Stock No.:: 222-4767
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 1EDN8511BXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 1EDN8511BXUSA1 MOSFET Gate Driver 1, 8 A 6-Pin 20V, SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 15)*

THB240.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB257.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB16.028	THB240.42
30 - 75	THB15.627	THB234.41
90 - 225	THB15.237	THB228.56
240 - 465	THB14.855	THB222.83
480 +	THB14.484	THB217.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4767
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 1EDN8511BXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Gate Driver
	Output Current	8A
	Pin Count	6
	Fall Time	4.5ns
	Package Type	SOT-23
	Number of Outputs	2
	Driver Type	MOSFET
	Rise Time	6.5ns
	Minimum Supply Voltage	4.2V
	Maximum Supply Voltage	20V
	Number of Drivers	1
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.6mm
	Series	1EDN8511B
	Height	1.45mm
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Gate Driver
	Output Current 8A
	Pin Count 6
	Fall Time 4.5ns
	Package Type SOT-23
	Number of Outputs 2
	Driver Type MOSFET
	Rise Time 6.5ns
	Minimum Supply Voltage 4.2V
	Maximum Supply Voltage 20V
	Number of Drivers 1
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.6mm
	Series 1EDN8511B
	Height 1.45mm
	Mount Type Surface
	Automotive Standard No

Datasheet - 1EDN8511BXUSA1

Infineon 1EDN8511B Series Gate Driver, 8A Output Current, 4.2V Minimum Supply Voltage - 1EDN8511BXUSA1

This gate driver provides a Compact single-driver solution with two outputs for controlling MOSFETs in switching applications. It operates from low supply voltages up to a moderate maximum, is intended for surface‑mount implementation, and is specified for use across a wide temperature span to suit demanding thermal environments.

Features and Benefits:

• 8A output current enables Rapid MOSFET charging and discharging
• 4.2-20V supply range supports varied logic and power rails
• 6.5ns rise time reduces turn‑on switching losses
• 4.5ns fall time minimises turn‑off energy dissipation
• Single driver with dual outputs simplifies gate circuitry
• 6‑pin SOT‑23 package ensures Compact board placement

Applications

• Suitable for fast‑switching MOSFET power stages
• Ideal for Compact DC-DC converters and regulators
• Used with gate networks requiring dual‑output drive
• Can be used for motor driver front‑end stages
• Suitable for thermal‑stressed environments and controls

What package footprint is required for board layout?

The device is supplied in a 6‑pin SOT‑23 surface‑mount package that occupies a small footprint suitable for space‑constrained assemblies.

What thermal range can the device tolerate during operation?

It is specified to operate from −40°C up to 150°C, allowing use in high‑temperature applications.

How many outputs are available and how are they configured?

It provides two outputs driven from a single internal driver channel to control complementary or separate MOSFET gates.

What pin count and mounting style should designers expect?

Designers should plan for a 6‑pin component intended for surface mounting.

Which switching performance metrics aid high‑speed designs?

The device offers 6.5ns rise and 4.5ns fall times combined with an 8A drive capability to support Rapid gate transitions.