onsemi, Isolated Gate Driver 1, 9 A 8-Pin 20V, SOIC-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB3,577.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,828.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
50 - 95THB71.55
100 - 495THB66.304
500 - 995THB60.96
1000 +THB58.784

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
277-081P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NCP51152BADR2G
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

9A

Pin Count

8

Fall Time

8.3ns

Package Type

SOIC-8

Driver Type

Isolated Gate Driver

Rise Time

12ns

Minimum Supply Voltage

3V

Number of Drivers

1

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

CQC GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), AEC-Q100-002, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned)

Width

4mm

Series

NCP51152

Mount Type

Surface

Automotive Standard

AEC-Q100

COO (Country of Origin):
PH
The ON Semiconductor Isolated Single Channel Gate Driver features 4.5A/9A source and sink peak currents, designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches. It comes in a compact 4 mm SOIC-8 package and supports isolation voltages up to 3.75 kVRMS. Additionally, it includes essential protection functions, such as independent under-voltage lockout for both side drivers, ensuring reliable and safe operation in high-performance power applications.

Gate clamping during short circuit

200 V/ns dV/dt immunity

Negative 5−V handling capability on input pins

SGS FIMO certification per IEC 62386−1