STMicroelectronics L6385ED013TR High Side Gate Driver 2, 650 mA 8-Pin 17 V, SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Gate Drivers ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*

THB307.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB329.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,495 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5 - 45THB61.51THB307.55
50 - 95THB58.468THB292.34
100 - 495THB54.096THB270.48
500 - 995THB49.816THB249.08
1000 +THB48.01THB240.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-012
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
L6385ED013TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

650mA

Pin Count

8

Fall Time

30ns

Package Type

SO-8

Number of Outputs

2

Driver Type

High Side

Rise Time

50ns

Minimum Supply Voltage

17V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

17V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

L6385ED013TR

Mount Type

Surface

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics simple and Compact high voltage gate driver, manufactured with the BCD “offline” technology, and able to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT devices. The high-side (floating) section is able to work with voltage rail up to 600 V. Both device outputs can independently sink and source 650 mA and 400 mA respectively and can be simultaneously driven high in order to drive asymmetrical half bridge configurations.

Undervoltage lockout on lower and upper driving section

Internal bootstrap diode

Outputs in phase with inputs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง