Infineon 256 kB Serial-SPI Serial (SPI) F-RAM 8-Pin, FM25V02A-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB206.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB221.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 909 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB206.94
10 - 24THB187.17
25 - 49THB183.22
50 - 99THB179.70
100 +THB166.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM25V02A-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Serial (SPI) F-RAM

Memory Size

256kB

Interface Type

Serial-SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Clock Frequency

40MHz

Pin Count

8

Standards/Approvals

RoHS

Maximum Operating Temperature

85°C

Minimum Operating Temperature

-40°C

Minimum Supply Voltage

2V

Maximum Supply Voltage

3.6V

Number of Bits per Word

8

Number of Words

32k

Automotive Standard

No

The Infineon FRAM is a 256 Kbit non volatile memory employing an Advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM and other non volatile memories. Unlike serial flash and EEPROM, it performs write operations at bus speed. No write delays are incurred. Data is written to the memory array immediately after each byte is successfully transferred to the device. The next bus cycle can commence without the need for data polling. In addition, the product offers substantial write endurance compared with other non volatile memories.

RoHS compliant

Low power consumption

Very fast serial peripheral Interface

Sophisticated write protection scheme

High endurance 100 trillion read and write

Advanced high reliability ferroelectric process

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง