Infineon 64 kB Serial-I2C Serial (I2C) Automotive FRAM 8-Pin SOIC-8, FM24CL64B-DG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 81 ชิ้น)*

THB10,385.253

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,112.228

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,620 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
81 - 81THB128.213THB10,385.25
162 +THB114.59THB9,281.79

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7380
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM24CL64B-DG
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

64kB

Product Type

Serial (I2C) Automotive FRAM

Organisation

8k x 8 bit

Interface Type

Serial-I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Clock Frequency

1MHz

Package Type

SOIC-8

Pin Count

8

Standards/Approvals

RoHS

Maximum Operating Temperature

125°C

Minimum Supply Voltage

3V

Number of Words

8K

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Operating Temperature

40°C

Number of Bits per Word

8

Automotive Standard

AEC-Q100 Grade 1

The Infineon FRAM is a 64 Kbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 121 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by EEPROM and other non volatile memories. Unlike EEPROM, it performs write operations at bus speed. No write delays are incurred. Data is written to the memory array immediately after each byte is successfully transferred to the device. The next bus cycle can commence without the need for data polling. In addition, the product offers substantial write endurance compared with other non volatile memories.

RoHS compliant

Low power consumption

Fast 2 wire Serial interface

AEC Q100 Grade 1 compliant

High endurance 10 trillion read and write

Advanced high reliability ferroelectric process

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง