Infineon 2 MB SPI FRAM 8-Pin DFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 74 ชิ้น)*

THB48,548.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB51,946.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
74 - 74THB656.06THB48,548.44
148 - 222THB641.627THB47,480.40
296 +THB627.849THB46,460.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
188-5422
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM25V20A-DG
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

2MB

Product Type

FRAM

Organisation

256k x 8 Bit

Interface Type

SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

16ns

Mount Type

Surface

Maximum Clock Frequency

40MHz

Package Type

DFN

Pin Count

8

Length

4.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

0.75mm

Maximum Operating Temperature

85°C

Automotive Standard

AEC-Q100

Minimum Supply Voltage

2V

Number of Words

256K

Number of Bits per Word

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Supply Voltage

3.6V

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง