Infineon 2 MB SPI FRAM 8-Pin SOIC, FM25V20A-G

RS Stock No.:: 124-2990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM25V20A-G
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 2 MB SPI FRAM 8-Pin SOIC, FM25V20A-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB714.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB764.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

เพิ่มอีก 4 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 23	THB714.60
24 - 46	THB696.74
47 +	THB686.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-2990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FM25V20A-G
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Memory Size	2MB
	Product Type	FRAM
	Organisation	256k x 8 Bit
	Interface Type	SPI
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	16ns
	Maximum Clock Frequency	40MHz
	Mount Type	Surface
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Length	4.97mm
	Height	1.38mm
	Width	3.98 mm
	Standards/Approvals	No
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Minimum Supply Voltage	2V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Number of Bits per Word	8
	Maximum Supply Voltage	3.6V
	Automotive Standard	AEC-Q100
	Number of Words	256K

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Memory Size 2MB
	Product Type FRAM
	Organisation 256k x 8 Bit
	Interface Type SPI
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 16ns
	Maximum Clock Frequency 40MHz
	Mount Type Surface
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Length 4.97mm
	Height 1.38mm
	Width 3.98 mm
	Standards/Approvals No
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Minimum Supply Voltage 2V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Number of Bits per Word 8
	Maximum Supply Voltage 3.6V
	Automotive Standard AEC-Q100
	Number of Words 256K

FM25V20A-G Datasheet

COO (Country of Origin):: TH

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Infineon 2 MB SPI FRAM 8-Pin SOIC, FM25V20A-G

เพิ่มอีก 4 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

FRAM, Cypress Semiconductor

FRAM (Ferroelectric RAM)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง