Infineon 2Mbit SPI FRAM Memory 8-Pin SOIC, FM25V20A-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู FRAM Memory ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB714.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB764.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 11 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 218 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 23THB714.60
24 - 46THB696.74
47 +THB686.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
124-2990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FM25V20A-G
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

2Mbit

Organisation

256K x 8 bit

Interface Type

SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

16ns

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Dimensions

5.33 x 5.33 x 1.78mm

Length

5.33mm

Width

5.33mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Height

1.78mm

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Words

256K

Minimum Operating Supply Voltage

2 V

Number of Bits per Word

8bit

COO (Country of Origin):
TH

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง