Infineon 256 kB 2 Wire I2C FRAM 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 125-4217P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM24W256-G
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (25 ชิ้น, จัดส่งในหลอด)*
THB5,926.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,341.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 13 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 25 - 48 | THB237.05 |
| 49 + | THB233.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-4217P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FM24W256-G
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | FRAM | |
| Memory Size | 256kB | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Interface Type | 2 Wire I2C | |
| Data Bus Width | 8bit | |
| Maximum Random Access Time | 3000ns | |
| Maximum Clock Frequency | 1MHz | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Height | 1.38mm | |
| Length | 4.97mm | |
| Width | 3.98mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Number of Bits per Word | 8 | |
| Minimum Supply Voltage | 2.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Number of Words | 32k | |
| Maximum Supply Voltage | 5.5V | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type FRAM | ||
Memory Size 256kB | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Interface Type 2 Wire I2C | ||
Data Bus Width 8bit | ||
Maximum Random Access Time 3000ns | ||
Maximum Clock Frequency 1MHz | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOIC | ||
Pin Count 8 | ||
Height 1.38mm | ||
Length 4.97mm | ||
Width 3.98mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Number of Bits per Word 8 | ||
Minimum Supply Voltage 2.7V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Number of Words 32k | ||
Maximum Supply Voltage 5.5V | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.