Infineon 4 MB SPI FRAM 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 24 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB24,576.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26,296.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
24 - 46THB1,024.00
47 +THB1,003.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
124-2933P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
CY15B104Q-SXI
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Memory Size

4MB

Product Type

FRAM

Organisation

512 k x 8 Bit

Interface Type

SPI

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

16ns

Maximum Clock Frequency

40MHz

Mount Type

Surface

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Width

5.33mm

Standards/Approvals

No

Length

5.33mm

Height

1.78mm

Maximum Operating Temperature

85°C

Automotive Standard

No

Maximum Supply Voltage

3.6V

Number of Bits per Word

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Minimum Supply Voltage

2V

Number of Words

512K

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.