ROHM BM3G115MUV-LBE2, 1High Side, Load Switch Power Switch IC 46-Pin, VQFN046V8080

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB1,405.03

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,503.382

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 8THB702.515THB1,405.03
10 +THB688.405THB1,376.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
687-350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BM3G115MUV-LBE2
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Power Switch Topology

High Side

Power Switch Type

Load Switch

Number of Channels

1

Maximum Operating Supply Voltage

650 V

Number of Outputs

1

Maximum Operating Current

12.2A

Package Type

VQFN046V8080

Pin Count

46

The ROHM 650 V GaN HEMT Power Stage integrates a silicon driver within original package, significantly reducing parasitic inductance compared to traditional discrete solutions. It delivers a high switching slew rate of up to 150 V/ns, with adjustable gate drive strength to minimize EMI. Built-in protections and additional features help optimize cost and reduce PCB size. Designed for compatibility with major existing controllers, it serves as an efficient replacement for traditional discrete power switches such as super junction MOSFETs.

Wide operating range for VDD pin voltage
Wide operating range for IN pin voltage
Low VDD quiescent and operating current
Low propagation delay
Adjustable gate drive strength
Power good signal output
VDD UVLO protection
Thermal shutdown protection

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง