ROHM BM3G115MUV-LBE2 High Side, Load Switch Power Switch IC 46-Pin, VQFN046V8080
- RS Stock No.:
- 687-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BM3G115MUV-LBE2
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB1,405.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,503.382
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB702.515 | THB1,405.03 |
| 10 + | THB688.405 | THB1,376.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BM3G115MUV-LBE2
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Power Switch Topology | High Side | |
| Power Switch Type | Load Switch | |
| Product Type | Power Switch IC | |
| Switch On Resistance RdsOn | 150mΩ | |
| Number of Outputs | 1 | |
| Minimum Supply Voltage | 5.5V | |
| Package Type | VQFN046V8080 | |
| Maximum Supply Voltage | 650V | |
| Pin Count | 46 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 105°C | |
| Operating Current | 12.2A | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Power Switch Topology High Side | ||
Power Switch Type Load Switch | ||
Product Type Power Switch IC | ||
Switch On Resistance RdsOn 150mΩ | ||
Number of Outputs 1 | ||
Minimum Supply Voltage 5.5V | ||
Package Type VQFN046V8080 | ||
Maximum Supply Voltage 650V | ||
Pin Count 46 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 105°C | ||
Operating Current 12.2A | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 650 V GaN HEMT Power Stage integrates a silicon driver within original package, significantly reducing parasitic inductance compared to traditional discrete solutions. It delivers a high switching slew rate of up to 150 V/ns, with adjustable gate drive strength to minimize EMI. Built-in protections and additional features help optimize cost and reduce PCB size. Designed for compatibility with major existing controllers, it serves as an efficient replacement for traditional discrete power switches such as super junction MOSFETs.
Wide operating range for VDD pin voltage
Wide operating range for IN pin voltage
Low VDD quiescent and operating current
Low propagation delay
Adjustable gate drive strength
Power good signal output
VDD UVLO protection
Thermal shutdown protection