STMicroelectronics SCT016H120G3AG Power MOSFET 7-Pin, HPAK-7
- RS Stock No.:
- 330-555
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT016H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,163.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,245.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 3 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,163.79 |
| 10 - 99 | THB1,047.51 |
| 100 + | THB965.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 330-555
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT016H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Switch On Resistance RdsOn | 16mΩ | |
| Power Rating | 652W | |
| Package Type | HPAK-7 | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Supply Voltage | 1200V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Operating Current | 112A | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Switch On Resistance RdsOn 16mΩ | ||
Power Rating 652W | ||
Package Type HPAK-7 | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Supply Voltage 1200V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Operating Current 112A | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET device is developed using ST's advanced 3rd generation SiC MOSFET technology. It features very low RDS(on) across a wide temperature range, combined with low capacitances and high switching capabilities. These characteristics enhance application performance by improving frequency, energy efficiency, and enabling reductions in system size and weight.
High speed switching performances
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT040HU120G3AG Power MOSFET 7-Pin, HU3PAK
- STMicroelectronics SCT011HU75G3AG Power MOSFET 7-Pin, HU3PAK
- STMicroelectronics SCT020HU120G3AG Power MOSFET 7-Pin, HU3PAK
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8984
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
