Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4830CDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 818-1292P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4830CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4830CDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB31.046

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33.219

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สามารถสั่งจองล่วงหน้าได้*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
20 - 40	THB23.858
50 - 90	THB22.976
100 - 190	THB22.491
200 +	THB22.05

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 818-1292P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4830CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.5 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	25 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	2.9 W
Transistor Configuration	Series
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Width	4mm
Number of Elements per Chip	2
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4830CDY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor