Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3091P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1922EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB10.479

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11.213

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

3000 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
750 - 1450	THB10.217
1500 +	THB10.059

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3091P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1922EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.3 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	263 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs	1.6 nC @ 8 V
Length	2.2mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Width	1.35mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor