N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

RS Stock No.:: 787-9421P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHG30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB200.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB214.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 08/07/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
7 - 12	THB195.82
13 +	THB192.82

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9421P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHG30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	TO-247AC
Series	E Series
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Transistor Material	Si
Height	20.82mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG30N60E-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features