N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA10DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9409P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISA10DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA10DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB31.468

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33.671

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 20/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
750 - 1490	THB30.681
1500 +	THB30.209

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9409P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISA10DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK 1212
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	39 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	3.4mm
Number of Elements per Chip	1
Length	3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 10 V
Height	1.12mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA10DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor