Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4925DDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9052P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4925DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4925DDY-T1-GE3

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB28.008

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29.969

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

6645 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
625 - 1245	THB27.308
1250 +	THB26.89

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9052P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4925DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	41 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	5 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Transistor Material	Si
Width	4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4925DDY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor