N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3

RS Stock No.:: 768-9348P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHP30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ราคา / Price Each (Supplied in a Tube)**

THB251.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB268.99

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สามารถสั่งจองล่วงหน้าได้*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
10 - 49	THB245.10
50 - 99	THB238.98
100 - 249	THB233.01
250 +	THB227.19

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 768-9348P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHP30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	TO-220AB
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Width	4.65mm
Transistor Material	Si
Length	10.51mm
Height	15.49mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Series	E Series

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features