N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4162DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 710-3323P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4162DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4162DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB28.064

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30.028

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 07/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
625 - 1245	THB27.364
1250 +	THB26.942

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-3323P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4162DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	13.6 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	8 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	5mm
Width	4mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.5mm

N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4162DY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor