Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V Enhancement, 24-Pin TSDSO
- RS Stock No.:
- 260-1072
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 6000 ชิ้น)*
THB218,298.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB233,580.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | THB36.383 | THB218,298.00 |
| 12000 - 12000 | THB35.291 | THB211,746.00 |
| 18000 + | THB33.879 | THB203,274.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1072
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 310A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | TSDSO | |
| Series | IQE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 310A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type TSDSO | ||
Series IQE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. It also have the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management which are benefits at the system level.
Enabling highest power density and performance
Superior thermal performance
Optimized layout possibilities
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE006NE2LM5SCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 205 A TSON
