onsemi Type N-Channel MOSFET, 44 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL080N120SC1
- RS Stock No.:
- 189-0419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL080N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB402.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB430.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB402.55 |
| 8 - 14 | THB392.49 |
| 15 + | THB386.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 189-0419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL080N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 162mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 348W | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Width | 4.82 mm | |
| Height | 20.82mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 162mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 348W | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.87mm | ||
Width 4.82 mm | ||
Height 20.82mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−3
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
1200V rated
Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A
High Speed Switching and Low Capacitance
Devices are Pb-Free
Applications
PFC
OBC
End Products
Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
Automotive On Board Charger
Automotive Auxiliary Motor Drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi FCH067N65S3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FDH44N50
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi FCH067N65S3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH067N65S3-F155
- onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL072N65S3
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4229PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247