Infineon, Gate Driver 1, 500 mA 8-Pin 20 V, PDIP
- RS Stock No.:
- 262-6231
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IR2118PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 3000 ชิ้น)*
THB229,845.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB245,934.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB76.615 | THB229,845.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 262-6231
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IR2118PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Gate Driver Module | |
| Output Current | 500mA | |
| Pin Count | 8 | |
| Package Type | PDIP | |
| Fall Time | 90ns | |
| Driver Type | Gate Driver | |
| Rise Time | 80ns | |
| Minimum Supply Voltage | 20V | |
| Number of Drivers | 1 | |
| Maximum Supply Voltage | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Gate Driver Module | ||
Output Current 500mA | ||
Pin Count 8 | ||
Package Type PDIP | ||
Fall Time 90ns | ||
Driver Type Gate Driver | ||
Rise Time 80ns | ||
Minimum Supply Voltage 20V | ||
Number of Drivers 1 | ||
Maximum Supply Voltage 20V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon single channel driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel can be used to drive an N channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration.
Under voltage lockout for both channe
Matched propagation delay for both channels