Infineon 2ED21091S06FXUMA1, Gate Driver 2, 290 mA 8-Pin 20 V, DSO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB78.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB83.514

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,406 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB39.025THB78.05
10 - 98THB37.655THB75.31
100 - 248THB36.335THB72.67
250 - 498THB35.065THB70.13
500 +THB33.84THB67.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-0606
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2ED21091S06FXUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Gate Driver

Output Current

290mA

Pin Count

8

Fall Time

35ns

Package Type

DSO-8

Driver Type

Gate Driver

Rise Time

100ns

Minimum Supply Voltage

10V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

2ED21091S6F

Automotive Standard

No

The Infineon 650 V half-bridge high speed power MOSFET and IGBT gate driver with typical 0.29 source current, and 0.7 sink current in DSO-8 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.

integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost

Floating channel designed for bootstrap operation

Independent under voltage lockout for both channels

The dual function DT/SD input turns off both channels

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง