ROHM BD2320EFJ-LAE2 MOSFET Gate Driver, 4.5 A 32 V, HTSOP-J8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB154.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB165.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 82 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB77.31THB154.62
50 - 98THB74.99THB149.98
100 - 248THB71.99THB143.98
250 - 998THB67.67THB135.34
1000 +THB62.935THB125.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
255-7660
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BD2320EFJ-LAE2
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Output Current

4.5A

Package Type

HTSOP-J8

Fall Time

6ns

Driver Type

MOSFET

Minimum Supply Voltage

32V

Maximum Supply Voltage

32V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Series

BD2320E

Standards/Approvals

No

Mount Type

PCB

Automotive Standard

No

The ROHM High frequency high-side and low-side driver is 100 V maximum voltage high-side and low-side gate drivers which can drive external Nch-FET using the bootstrap method. The driver includes a 100 V bootstrap diode and independent inputs control for high-side and low-side. 3.3 V and 5.0 V are available for interface voltage. Under voltage lockout circuits are built in for high-side and low-side.

Long time support product for industrial applications

Under Voltage Lockout (UVLO) for high-side and low-side driver

3.3 V and 5.0 V interface voltage

Output In-phase with input signal

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง