STMicroelectronics, Gate Driver 2, 6 A 16-Pin 5 V, SO-16
- RS Stock No.:
- 233-0478P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STDRIVEG600TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,599.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,711.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 90 | THB79.994 |
| 100 - 240 | THB78.425 |
| 250 - 490 | THB76.856 |
| 500 + | THB75.289 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-0478P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STDRIVEG600TR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Gate Driver Module | |
| Output Current | 6A | |
| Pin Count | 16 | |
| Fall Time | 5ns | |
| Package Type | SO-16 | |
| Driver Type | Gate Driver | |
| Minimum Supply Voltage | 3.3V | |
| Maximum Supply Voltage | 5V | |
| Number of Drivers | 2 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | STDRI | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Gate Driver Module | ||
Output Current 6A | ||
Pin Count 16 | ||
Fall Time 5ns | ||
Package Type SO-16 | ||
Driver Type Gate Driver | ||
Minimum Supply Voltage 3.3V | ||
Maximum Supply Voltage 5V | ||
Number of Drivers 2 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series STDRI | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.
Interlocking function
UVLO on low-side and high-side sections
Dedicated pin for shut down functionality
Over temperature protection
