Infineon MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 20 V, SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB77,640.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB83,075.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB31.056THB77,640.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
226-6193
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRS2118STRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Output Current

290mA

Pin Count

8

Fall Time

65ns

Package Type

SOIC

Number of Outputs

5

Driver Type

MOSFET

Rise Time

75ns

Minimum Supply Voltage

20V

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Height

1.75mm

Series

IRS

Width

4 mm

Length

5mm

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized mono­lithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which operates up to 600 V.

Gate drive supply range from 10 V to 20V

Undervoltage lockout

CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

Output in phase with input

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง