Infineon 2ED2109S06FXUMA1 MOSFET Gate Driver 2, 290 mA 8-Pin 25 V, DSO

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Gate Drivers ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB382.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB409.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,410 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 +THB38.266THB382.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
226-6023
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2ED2109S06FXUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

High Speed Power MOSFET & IGBT Driver

Output Current

290mA

Pin Count

8

Package Type

DSO

Fall Time

80ns

Driver Type

MOSFET

Number of Outputs

2

Rise Time

150ns

Minimum Supply Voltage

20V

Maximum Supply Voltage

25V

Number of Drivers

2

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

4.9mm

Height

1.72mm

Width

3.9 mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

2ED2109 (4) S06F (J)

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon 2ED2109S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.

Floating channel designed for bootstrap operation

Operating voltages (VS node) upto + 650 V

Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V

Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง